| 図3-3-1は，ＮＰＮの接合のエネルギー構造を示しています．
Ｎ型半導体とＰ型半導体はドープ物質（不純物）によって電子の分布が異なり，それによってフェルミ準位が両半導体間で異なっています．フェルミ準位は物質中の電子の存在確率５０％の電位を示しますので，これらの半導体を接合するとＰＮそれぞれの半導体のフェルミ準位の電位差は一致します．
このときＮ型伝導帯の電子はＰ型伝導帯と比較してエネルギー準位が高く，また，Ｐ型の価電子帯のホールはＮ型価電子帯と比較して低いためＮ型の電子およびＰ型のホールはそれぞれエネルギー準位の低い接合対象となる半導体へ拡散（移動）します． |
）として捉えていくと空乏層の広がりがダイオードの特徴を踏襲していますのでわかりやすいと思います．ダイオードの順バイアス印可と逆バイアス印可時のエネルギー構造はこちらを参照（