�@　キャリア濃度（電荷密度）に比例．トランジスタの場合，３極（エミッタ，ベース，コレクタ）のうちベース極の障壁部のキャリア濃度が最も小さくなります（詳細はこちら参照）．そのためエミッタ − コレクタ間電流を考える場合，このベース極部のキャリアに着目します．このキャリア濃度は，V_BEによって大きく可変できますので，E-C電流に対して影響が大きいと言えます．

�A　一方キャリア移動速度は，一般に物体中の電界の大きさに比例．トランジスタの場合，�@に記載を踏まえベース障壁部のキャリア速度を考えます．ベース極部の電界（電位勾配）は，ベース部の抵抗率×エミッタ電流に関係するパラメータとなります．一般的には，ベース極（コレクタ，エミッタも同様）の半導体は抵抗率が低く設定されていますので，エミッタ − コレクタ間電流を考える上では影響が小さいと言えます．

上記から，�@の要素がエミッタ − コレクタ間に流れる電流 I_C に与える影響として大きく，ベース極のキャリア濃度の関係がイメージできたと思います．この関係をもうちょっと整理すると，ベース極のキャリア濃度をρ[C/m³]とすると