一般に，V_RMはアバランシェ降伏との関係によって設定されていることが多いようです．逆バイアスを大きくしていくとアバランシェ降伏によって逆流します．整流用途のダイオードにとっては，整流機能を失う電圧となります．低インピーダンスの電圧源に接続される場合，破壊につながるパラメータです．

V_Rは，メーカの定めるリーク電流（逆電流：I_R ）の規定に基づき，設定されているパラメータです．本来ユーザ側（セットメーカ側）でV_Rとリーク電流との兼ね合い関係に基づき設計（設定）の自由が与えられていても良いと思われるのですが，汎用品についてはこの自由度は与えられていない場合が一般的です．

一般的に，T_j の大きさに応じてI_FMの制限が設定されています．

一般にメーカによって通電条件および系が設定されています．

シリコンダイオードの場合，一般的に150℃に設定されています．T_j を越えて使用すると熱暴走（熱電子によるキャリア増→逆流の現象）や破壊の可能性があるパラメータ．

一般的には，ダイオードに与えられる順方向バイアス．

機構上寄生する静電容量も含んで規定されている場合が一般的です．

一般にメーカによって系や測定の細かい条件が微妙に異なるのでメーカ別の比較が難しいパラメータです．本コンテンツ（詳細こちら）では，逆回復特性をスイッチのON／OFF状態にたとえ，このスイッチのon時間を逆回復時間としています．一般にこのパラメータはSPICEモデルにおけるTT に相当します．そのため，各メーカでSPICEモデルを公開している場合は，TTを比較することで逆回復特性の比較が可能です．

しかし，SPICEモデルについてはメーカ保証されない場合が多いので注意が必要です．