図3-2-15 は外部のバイアス（電圧）によってＮ型半導体のエネルギー準位を通常より高い位置に設定しています．するとＮ型半導体伝導帯の自由電子はエネルギー準位の低い金属側へ移動することが可能です．

つづいて上記とは反対のバイアスを与えた場合のエネルギー構造を図3-2-16 に示しています．金属側の自由電子はＮ型半導体へのエネルギー準位の高い障壁があるため容易に乗り越えることができません．そのため金属側からＮ型半導体への電子の移動しにくい特徴があります．

このように金属とＮ型半導体の接合の場合もＰＮ接合と同様に整流作用があることがわかると思います．このショットキー障壁による整流作用を利用したダイオードをショットキーダイオード（ショットキーバリアダイオード）といいます．